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Erstellt von TRUFL AIP-Kanal JFET-Transistoren (Junction Field-Effect Transistors) sind Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch einen P-dotierten Kanal zwischen Source und Drain erfolgt. Im Gegensatz zu N-Kanal JFETs, bei denen Elektronen die Ladungsträger sind, sind es hier Löcher. Die Steuerung des Stromflusses wird über eine Spannung am Gate-Anschluss realisiert, die eine Verarmungszone im Kanal erzeugt. Diese Verarmungszone reduziert die effektive Kanalbreite und somit den Stromfluss. Bei einer ausreichend negativen Gate-Spannung wird der Kanal vollständig abgeschnürt (Pinch-Off-Spannung), und der Stromfluss wird unterbunden. P-Kanal JFETs sind spannungsgesteuerte Bauelemente, was bedeutet, dass sie einen sehr hohen Eingangswiderstand am Gate aufweisen und somit nur einen geringen Steuerstrom benötigen.
